CS2N60A4H دیتاشیت

CS2N60A4H

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS2N60A4H
حجم فایل 75.219 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت CS2N60A4H

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS2N60A4H
  • Power Dissipation (Pd): 35W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4Ω@10V,1A
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه